Name: G3R12MT12K
Brand: Navitas Semiconductor, Inc.
SKU: 1913-G3R12MT12K-ND
Price: 316.5405 PLN
Availability: InStock

Kanał N 1200 V 157A (Tc) 567W (Tc) Otwór przelotowy TO-247-4

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

G3R12MT12K
Numer produktu DigiKey	1913-G3R12MT12K-ND
Producent	Navitas Semiconductor, Inc.
Numer produktu producenta	G3R12MT12K
Opis	1200V 12M TO-247-4 G3R SIC MOSFE
Standardowy czas realizacji przez producenta	20 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 1200 V 157A (Tc) 567W (Tc) Otwór przelotowy TO-247-4
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 2,7V przy 50mA
Prod. Navitas Semiconductor, Inc.	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 288 nC @ 15 V
Opakowanie Rurka	Vgs (maks.) +22V, -10V
Status części Aktywny	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 9335 pF @ 800 V
Typ FET Kanał N	Straty mocy (maks.) 567W (Tc)
Technologia SiCFET (węglik krzemu)	Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ)
Napięcie dren-źródło (Vdss) 1200 V	Typ mocowania Otwór przelotowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 157A (Tc)	Obudowa dostawcy urządzenia TO-247-4
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 15V, 18V	Obudowa / skrzynia TO-247-4
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 13mOhm przy 100A, 18V	Bazowy numer produktu G3R12M

Zgłoś błąd informacji o produkcie

Dokumenty i media

Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe

Dodatkowe zasoby

W magazynie: 1 538

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Rurka

Ilość	Cena jednostkowa	Wartość
1	257,35000 zł	257,35 zł
30	183,09967 zł	5 492,99 zł

Opakowanie standardowe producenta

Uwaga: W przypadku zakupu produktu w ilości niższej od opakowania standardowego, rodzaj opakowania może ulec zmianie ze względu na usługi o wartości dodanej świadczone przez DigiKey.