G2R50MT33K Navitas Semiconductor, Inc. | Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze

Kanał N 3300 V 63A (Tc) 536W (Tc) Otwór przelotowy TO-247-4

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

G2R50MT33K
Numer produktu DigiKey	1913-G2R50MT33K-ND
Producent	Navitas Semiconductor, Inc.
Numer produktu producenta	G2R50MT33K
Opis	3300V 50M TO-247-4 SIC MOSFET
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 3300 V 63A (Tc) 536W (Tc) Otwór przelotowy TO-247-4
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	G2R50MT33K Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 50mOhm przy 40A, 20V
Prod. Navitas Semiconductor, Inc.	Vgs(th) (maks.) przy Id 3,5V przy 10mA (typ.)
Seria G2R™	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 340 nC @ 20 V
Opakowanie Rurka	Vgs (maks.) +25V, -10V
Status części Nieaktualne	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 7301 pF @ 1000 V
Typ FET Kanał N	Straty mocy (maks.) 536W (Tc)
Technologia SiCFET (węglik krzemu)	Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ)
Napięcie dren-źródło (Vdss) 3300 V	Typ mocowania Otwór przelotowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 63A (Tc)	Obudowa dostawcy urządzenia TO-247-4
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 20V	Obudowa / skrzynia TO-247-4

Zgłoś błąd informacji o produkcie

Dokumenty i media

Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe

Dodatkowe zasoby

W magazynie: 121

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ten produkt nie jest już produkowany, a jego zapasy nie będą uzupełniane po wyczerpaniu.

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Rurka

Ilość	Cena jednostkowa	Wartość
1	1 038,96000 zł	1 038,96 zł
30	953,37067 zł	28 601,12 zł

Opakowanie standardowe producenta

Uwaga: W przypadku zakupu produktu w ilości niższej od opakowania standardowego, rodzaj opakowania może ulec zmianie ze względu na usługi o wartości dodanej świadczone przez DigiKey.