Name: TN5335K1-G
Brand: Microchip Technology
SKU: TN5335K1-GTR-ND
Price: 4.5018 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

TN5335K1-G
Numer produktu DigiKey	TN5335K1-GTR-ND - Taśma i szpula (TR) TN5335K1-GCT-ND - Taśma cięta (CT) TN5335K1-GDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Microchip Technology
Numer produktu producenta	TN5335K1-G
Opis	MOSFET N-CH 350V 110MA SOT23
Standardowy czas realizacji przez producenta	5 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 350 V 110mA (Tj) 360mW (Ta) Montaż powierzchniowy SOT-23 (TO-236AB)
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	TN5335K1-G Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Microchip Technology
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	350 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	110mA (Tj)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	3V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	15Ohm przy 200mA, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2V przy 1mA
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	110 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	360mW (Ta)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	SOT-23 (TO-236AB)
Obudowa / skrzynia	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Bazowy numer produktu	TN5335