Name: MSC080SMA120SDT/R
Brand: Microchip Technology
SKU: 150-MSC080SMA120SDT/R-ND
Price: 50.1717 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

MSC080SMA120SDT/R
Numer produktu DigiKey	150-MSC080SMA120SDT/R-ND
Producent	Microchip Technology
Numer produktu producenta	MSC080SMA120SDT/R
Opis	MOSFET SIC 1200 V 80 MOHM TO-263
Standardowy czas realizacji przez producenta	4 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 1200 V 35A (Tc) 182W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-263-7
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 100mOhm przy 15A, 20V
Prod. Microchip Technology	Vgs(th) (maks.) przy Id 2,8V przy 1mA
Seria MSiC™ MA	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 64 nC @ 20 V
Opakowanie Zbiorcze	Vgs (maks.) +23V, -10V
Status części Aktywny	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 838 pF @ 1000 V
Typ FET Kanał N	Straty mocy (maks.) 182W (Tc)
Technologia SiCFET (węglik krzemu)	Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ)
Napięcie dren-źródło (Vdss) 1200 V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 35A (Tc)	Obudowa dostawcy urządzenia TO-263-7
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 20V	Obudowa / skrzynia TO-263-8, D2PAK (7 odpr. + wypust), TO-263CA

Zgłoś błąd informacji o produkcie

Dokumenty i media

Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe

Dodatkowe zasoby

W magazynie: 797

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Zbiorcze

Cena jednostkowa bez VAT:	40,79000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	50,17170 zł

MSC080SMA120SDT/R