Kanał N 1200 V 35A (Tc) 182W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-263-7
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

MSC080SMA120SDT/R

Numer produktu DigiKey
150-MSC080SMA120SDT/R-ND
Producent
Microchip Technology
Numer produktu producenta
MSC080SMA120SDT/R
Opis
MOSFET SIC 1200 V 80 MOHM TO-263
Standardowy czas realizacji przez producenta
4 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 1200 V 35A (Tc) 182W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-263-7
Arkusz danych
 Arkusz danych
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Prod.
Microchip Technology
Seria
MSiC™ MA
Opakowanie
Zbiorcze
Status części
Aktywny
Typ FET
Kanał N
Technologia
SiCFET (węglik krzemu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
1200 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
35A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
20V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
100mOhm przy 15A, 20V
Vgs(th) (maks.) przy Id
2,8V przy 1mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
64 nC @ 20 V
Vgs (maks.)
+23V, -10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
838 pF @ 1000 V
Charakterystyka FET
-
Straty mocy (maks.)
182W (Tc)
Temperatura robocza
-55°C - 175°C (TJ)
Klasa
-
Kwalifikacja
-
Typ mocowania
Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia
TO-263-7
Obudowa / skrzynia
TO-263-8, D2PAK (7 odpr. + wypust), TO-263CA
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

W magazynie: 797
Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu
Ilość
Wszystkie ceny podano w PLN
Zbiorcze
Ilość Cena jednostkowa Wartość
140,57000 zł40,57 zł
2537,42840 zł935,71 zł
10032,57120 zł3 257,12 zł
Cena jednostkowa bez VAT:40,57000 zł
Cena jednostkowa z VAT:49,90110 zł