R6020ANX jest dostępne do zakupu, ale zwykle nie jest przechowywane w magazynie.
Dostępne zamienniki:

Bezpośrednie


Rohm Semiconductor
W magazynie: 453
Cena jednostkowa : 16,36000 zł
Arkusz danych

Similar


Rohm Semiconductor
W magazynie: 759
Cena jednostkowa : 20,07000 zł
Arkusz danych

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
W magazynie: 330
Cena jednostkowa : 13,72000 zł
Arkusz danych

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
W magazynie: 228
Cena jednostkowa : 14,53000 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 453
Cena jednostkowa : 15,33000 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 498
Cena jednostkowa : 10,86000 zł
Arkusz danych

Similar


Vishay Siliconix
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 13,72000 zł
Arkusz danych

Similar


Vishay Siliconix
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 20,91000 zł
Arkusz danych

Similar


Vishay Siliconix
W magazynie: 395
Cena jednostkowa : 14,93000 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 433
Cena jednostkowa : 15,99000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 739
Cena jednostkowa : 9,50000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 1 920
Cena jednostkowa : 29,35000 zł
Arkusz danych
Kanał N 600 V 20A (Tc) 85W (Tc) Otwór przelotowy TO-220FM
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

R6020ANX

Numer produktu DigiKey
R6020ANX-ND
Producent
Numer produktu producenta
R6020ANX
Opis
MOSFET N-CH 600V 20A TO220FM
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 600 V 20A (Tc) 85W (Tc) Otwór przelotowy TO-220FM
Arkusz danych
 Arkusz danych
Modele EDA/CAD
R6020ANX Modele
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Prod.
Seria
-
Opakowanie
Zbiorcze
Status części
Nie do nowych projektów
Typ FET
Technologia
Napięcie dren-źródło (Vdss)
600 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
220mOhm przy 10A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id
4,5V przy 1mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
65 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
2040 pF @ 25 V
Charakterystyka FET
-
Straty mocy (maks.)
85W (Tc)
Temperatura robocza
150°C (TJ)
Klasa
-
Kwalifikacja
-
Typ mocowania
Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia
TO-220FM
Obudowa / skrzynia
Bazowy numer produktu
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

Dostępne do zamawiania
Ten produkt nie znajduje się w magazynie DigiKey. Ukazany czas realizacji dotyczy wysyłki od producenta do firmy DigiKey. Po otrzymaniu produktu, DigiKey dokona wysyłki w celu realizacji otwartych zamówień.
Nie zalecane do nowych projektów. Mogą obowiązywać minimalne ilości. Wyświetl Zamienniki.
Wszystkie ceny podano w PLN
Zbiorcze
Ilość Cena jednostkowa Wartość
50012,76148 zł6 380,74 zł
Opakowanie standardowe producenta
Cena jednostkowa bez VAT:12,76148 zł
Cena jednostkowa z VAT:15,69662 zł