


MSJP11N65-BP | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | 353-MSJP11N65-BP-ND |
Producent | |
Numer produktu producenta | MSJP11N65-BP |
Opis | MOSFET N-CH 650V 11A TO220AB |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 650 V 11A (Tc) 78W (Tc) Otwór przelotowy TO-220AB (H) |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Prod. | ||
Seria | - | |
Opakowanie | Rurka | |
Status części | Nieaktualne | |
Typ FET | ||
Technologia | ||
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 650 V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | ||
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) | 10V | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 380mOhm przy 5,5A, 10V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 4V przy 250µA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 21 nC @ 10 V | |
Vgs (maks.) | ±30V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 901 pF @ 50 V | |
Charakterystyka FET | - | |
Straty mocy (maks.) | 78W (Tc) | |
Temperatura robocza | -55°C - 150°C (TJ) | |
Klasa | - | |
Kwalifikacja | - | |
Typ mocowania | Otwór przelotowy | |
Obudowa dostawcy urządzenia | TO-220AB (H) | |
Obudowa / skrzynia | ||
Bazowy numer produktu |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 9,48000 zł | 9,48 zł |
| 50 | 4,66000 zł | 233,00 zł |
| 100 | 4,19030 zł | 419,03 zł |
| 500 | 3,36706 zł | 1 683,53 zł |
| 1 000 | 3,10240 zł | 3 102,40 zł |
| 2 000 | 2,87991 zł | 5 759,82 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 9,48000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 11,66040 zł |

