Ustawienia
Szybka dostawa
Bezpłatna wysyłka
Incoterms
Typy płatności
Produkt z platformy handlowej
IXTP08N100D2 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | IXTP08N100D2-ND |
Producent | |
Numer produktu producenta | IXTP08N100D2 |
Opis | MOSFET N-CH 1000V 800MA TO220AB |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 57 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 1000 V 800mA (Tc) 60W (Tc) Otwór przelotowy TO-220-3 |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Modele EDA/CAD | IXTP08N100D2 Modele |
Atrybuty produktu
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Prod. | ||
Seria | ||
Opakowanie | Rurka | |
Status części | Aktywny | |
Typ FET | ||
Technologia | ||
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 1000 V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | ||
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) | - | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 21Ohm przy 400mA, 0V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | - | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 14.6 nC @ 5 V | |
Vgs (maks.) | ±20V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 325 pF @ 25 V | |
Charakterystyka FET | Tryb ograniczenia funkcji | |
Straty mocy (maks.) | 60W (Tc) | |
Temperatura robocza | -55°C - 150°C (TJ) | |
Typ mocowania | Otwór przelotowy | |
Obudowa dostawcy urządzenia | TO-220-3 | |
Obudowa / skrzynia | ||
Bazowy numer produktu |
0 w magazynie
Sprawdź czas realizacji
Zażądaj powiadomienia o stanie magazynowym
Ilość
Wszystkie ceny podano w PLN
Rurka
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 12,44000 zł | 12,44 zł |
| 50 | 6,78740 zł | 339,37 zł |
| 100 | 6,20490 zł | 620,49 zł |
| 500 | 5,16944 zł | 2 584,72 zł |
| 1 000 | 4,92048 zł | 4 920,48 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 12,44000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 15,30120 zł |
Mogą Cię również zainteresowaćZobacz wszystko
15 Pozycje
