IXTR30N25 IXYS | Półprzewodniki dyskretne

IXTR30N25 jest przestarzałe i nie jest już produkowane.

Dostępne zamienniki:

Similar

Vishay Siliconix

W magazynie: 0

Cena jednostkowa : 30,93000 zł

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IXTR30N25
Numer produktu DigiKey	IXTR30N25-ND
Producent	IXYS
Numer produktu producenta	IXTR30N25
Opis	MOSFET N-CH 250V 25A ISOPLUS247
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 250 V 25A (Tc) 150W (Tc) Otwór przelotowy ISOPLUS247™

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	IXYS
Seria	-
Opakowanie	Rurka
Status części	Nieaktualne
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	250 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	25A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	75mOhm przy 15A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	136 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	3950 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	150W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia	ISOPLUS247™
Obudowa / skrzynia	TO-247-3
Bazowy numer produktu	IXTR30