Name: IXTQ60N20L2
Brand: IXYS
SKU: IXTQ60N20L2-ND
Price: 88.0557 PLN
Availability: InStock

Kanał N 200 V 60A (Tc) 540W (Tc) Otwór przelotowy TO-3P

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IXTQ60N20L2
Numer produktu DigiKey	IXTQ60N20L2-ND
Producent	IXYS
Numer produktu producenta	IXTQ60N20L2
Opis	MOSFET N-CH 200V 60A TO3P
Standardowy czas realizacji przez producenta	26 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 200 V 60A (Tc) 540W (Tc) Otwór przelotowy TO-3P
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	IXYS
Seria	Linear L2™
Opakowanie	Rurka
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	200 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	60A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	45mOhm przy 30A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4,5V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	255 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	10500 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	540W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia	TO-3P
Obudowa / skrzynia	TO-3P-3, SC-65-3
Bazowy numer produktu	IXTQ60

Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

W magazynie: 260

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Rurka

Ilość	Cena jednostkowa	Wartość
1	71,59000 zł	71,59 zł
30	44,89100 zł	1 346,73 zł
120	40,18958 zł	4 822,75 zł

Opakowanie standardowe producenta

Uwaga: W przypadku zakupu produktu w ilości niższej od opakowania standardowego, rodzaj opakowania może ulec zmianie ze względu na usługi o wartości dodanej świadczone przez DigiKey.