
IXTP20N65X2M | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | 238-IXTP20N65X2M-ND |
Producent | |
Numer produktu producenta | IXTP20N65X2M |
Opis | MOSFET N-CH 650V 20A TO220 |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 41 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 650 V 20A (Tc) 36W (Tc) Otwór przelotowy TO-220, wypustka izolowana |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Prod. | ||
Seria | ||
Opakowanie | Rurka | |
Status części | Aktywny | |
Typ FET | ||
Technologia | ||
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 650 V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | ||
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) | 10V | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 185mOhm przy 10A, 10V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 4,5V przy 250µA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 27 nC @ 10 V | |
Vgs (maks.) | ±30V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 1450 pF @ 25 V | |
Charakterystyka FET | - | |
Straty mocy (maks.) | 36W (Tc) | |
Temperatura robocza | -55°C - 150°C (TJ) | |
Klasa | - | |
Kwalifikacja | - | |
Typ mocowania | Otwór przelotowy | |
Obudowa dostawcy urządzenia | TO-220, wypustka izolowana | |
Obudowa / skrzynia | ||
Bazowy numer produktu |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 300 | 9,22710 zł | 2 768,13 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 9,22710 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 11,34933 zł |

