
IXTP1N100P | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | 238-IXTP1N100P-ND |
Producent | |
Numer produktu producenta | IXTP1N100P |
Opis | MOSFET N-CH 1000V 1A TO220AB |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 32 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 1000 V 1A (Tc) 50W (Tc) Otwór przelotowy TO-220-3 |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Prod. | ||
Seria | ||
Opakowanie | Rurka | |
Status części | Aktywny | |
Typ FET | ||
Technologia | ||
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 1000 V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | ||
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) | 10V | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 15Ohm przy 500mA, 10V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 4,5V przy 50µA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 15.5 nC @ 10 V | |
Vgs (maks.) | ±20V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 331 pF @ 25 V | |
Charakterystyka FET | - | |
Straty mocy (maks.) | 50W (Tc) | |
Temperatura robocza | -55°C - 150°C (TJ) | |
Klasa | - | |
Kwalifikacja | - | |
Typ mocowania | Otwór przelotowy | |
Obudowa dostawcy urządzenia | TO-220-3 | |
Obudowa / skrzynia | ||
Bazowy numer produktu |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 14,12000 zł | 14,12 zł |
| 50 | 7,12260 zł | 356,13 zł |
| 100 | 6,44460 zł | 644,46 zł |
| 500 | 5,25646 zł | 2 628,23 zł |
| 1 000 | 4,87472 zł | 4 874,72 zł |
| 2 000 | 4,55384 zł | 9 107,68 zł |
| 5 000 | 4,30165 zł | 21 508,25 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 14,12000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 17,36760 zł |

