IXTH50N25T IXYS | Półprzewodniki dyskretne

IXTH50N25T jest przestarzałe i nie jest już produkowane.

Dostępne zamienniki:

MFR Recommended

IXYS

W magazynie: 262

Cena jednostkowa : 28,18000 zł

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IXTH50N25T
Numer produktu DigiKey	IXTH50N25T-ND
Producent	IXYS
Numer produktu producenta	IXTH50N25T
Opis	MOSFET N-CH 250V 50A TO247
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 250 V 50A (Tc) 400W (Tc) Otwór przelotowy TO-247 (IXTH)
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	IXYS
Seria	Trench
Opakowanie	Rurka
Status części	Nieaktualne
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	250 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	50A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	60mOhm przy 25A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	5V przy 1mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	78 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	4000 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	400W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia	TO-247 (IXTH)
Obudowa / skrzynia	TO-247-3
Bazowy numer produktu	IXTH50