IXTH41N25 IXYS | Półprzewodniki dyskretne

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IXTH41N25
Numer produktu DigiKey	IXTH41N25-ND
Producent	IXYS
Numer produktu producenta	IXTH41N25
Opis	MOSFET N-CH 250V 41A TO247
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 250 V 41A (Tc) 300W (Tc) Otwór przelotowy TO-247 (IXTH)

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	IXYS
Seria	-
Opakowanie	Rurka
Status części	Nieaktualne
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	250 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	41A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	72mOhm przy 15A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	110 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	3200 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	300W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia	TO-247 (IXTH)
Obudowa / skrzynia	TO-247-3
Bazowy numer produktu	IXTH41