Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar

IXTH30N60L2 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | 238-IXTH30N60L2-ND |
Producent | |
Numer produktu producenta | IXTH30N60L2 |
Opis | MOSFET N-CH 600V 30A TO247 |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 46 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 600 V 30A (Tc) 540W (Tc) Otwór przelotowy TO-247 (IXTH) |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Modele EDA/CAD | IXTH30N60L2 Modele |
Kategoria | Vgs(th) (maks.) przy Id 4,5V przy 250µA |
Prod. | Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 335 nC @ 10 V |
Seria | Vgs (maks.) ±20V |
Opakowanie Rurka | Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 10700 pF @ 25 V |
Status części Aktywny | Straty mocy (maks.) 540W (Tc) |
Typ FET | Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ) |
Technologia | Typ mocowania Otwór przelotowy |
Napięcie dren-źródło (Vdss) 600 V | Obudowa dostawcy urządzenia TO-247 (IXTH) |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | Obudowa / skrzynia |
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 10V | Bazowy numer produktu |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 240mOhm przy 15A, 10V |
| Numer katalogowy | Producent | Ilość dostępna | Numer produktu DigiKey | Cena jednostkowa | Rodzaj zamiennika |
|---|---|---|---|---|---|
| APT34F60B | Microchip Technology | 0 | APT34F60B-ND | 43,63000 zł | Similar |
| IPW60R125C6FKSA1 | Infineon Technologies | 82 | 448-IPW60R125C6FKSA1-ND | 25,60000 zł | Similar |
| SIHG15N60E-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHG15N60E-GE3-ND | 16,52000 zł | Similar |
| SPW17N80C3FKSA1 | Infineon Technologies | 1 812 | SPW17N80C3FKSA1-ND | 25,46000 zł | Similar |
| STW18N60M2 | STMicroelectronics | 50 | 497-15284-5-ND | 14,33000 zł | Similar |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 86,61000 zł | 86,61 zł |
| 30 | 55,00633 zł | 1 650,19 zł |
| 120 | 48,09367 zł | 5 771,24 zł |
| 510 | 47,26527 zł | 24 105,29 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 86,61000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 106,53030 zł |





