
IXTB30N100L | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | IXTB30N100L-ND |
Producent | |
Numer produktu producenta | IXTB30N100L |
Opis | MOSFET N-CH 1000V 30A PLUS264 |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 49 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 1000 V 30A (Tc) 800W (Tc) Otwór przelotowy PLUS264™ |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Prod. | ||
Seria | ||
Opakowanie | Rurka | |
Status części | Aktywny | |
Typ FET | ||
Technologia | ||
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 1000 V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | ||
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) | 20V | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 450mOhm przy 500mA, 20V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 5V przy 250µA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 545 nC @ 20 V | |
Vgs (maks.) | ±30V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 13200 pF @ 25 V | |
Charakterystyka FET | - | |
Straty mocy (maks.) | 800W (Tc) | |
Temperatura robocza | -55°C - 150°C (TJ) | |
Klasa | - | |
Kwalifikacja | - | |
Typ mocowania | Otwór przelotowy | |
Obudowa dostawcy urządzenia | PLUS264™ | |
Obudowa / skrzynia | ||
Bazowy numer produktu |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 300 | 183,79283 zł | 55 137,85 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 183,79283 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 226,06518 zł |

