IXTA110N055T2 nie jest dostępne w magazynie, jednak można złożyć zamówienie niezrealizowane.
Dostępne zamienniki:

Similar


Nexperia USA Inc.
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 10,12000 zł
Arkusz danych

Similar


Nexperia USA Inc.
W magazynie: 2 183
Cena jednostkowa : 16,54000 zł
Arkusz danych

Similar


Nexperia USA Inc.
W magazynie: 331
Cena jednostkowa : 10,93000 zł
Arkusz danych

Similar


onsemi
W magazynie: 2 417
Cena jednostkowa : 17,35000 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 0,00000 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 0,00000 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 5,39140 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 577
Cena jednostkowa : 15,26000 zł
Arkusz danych

Similar


Nexperia USA Inc.
W magazynie: 152
Cena jednostkowa : 8,80000 zł
Arkusz danych

Similar


Vishay Siliconix
W magazynie: 1 581
Cena jednostkowa : 13,72000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 1 496
Cena jednostkowa : 12,44000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 5,69677 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 449
Cena jednostkowa : 11,74000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 0,00000 zł
Arkusz danych
Kanał N 55 V 110A (Tc) 180W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-263AA
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IXTA110N055T2

Numer produktu DigiKey
IXTA110N055T2-ND
Producent
Numer produktu producenta
IXTA110N055T2
Opis
MOSFET N-CH 55V 110A TO263
Standardowy czas realizacji przez producenta
23 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 55 V 110A (Tc) 180W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-263AA
Arkusz danych
 Arkusz danych
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Prod.
Seria
Opakowanie
Rurka
Status części
Aktywny
Typ FET
Technologia
Napięcie dren-źródło (Vdss)
55 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
6,6mOhm przy 25A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id
4V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
57 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
3060 pF @ 25 V
Charakterystyka FET
-
Straty mocy (maks.)
180W (Tc)
Temperatura robocza
-55°C - 175°C (TJ)
Klasa
-
Kwalifikacja
-
Typ mocowania
Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia
TO-263AA
Obudowa / skrzynia
Bazowy numer produktu
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

Dostępne do zamawiania
Zapas fabryczny: 900
Sprawdź czas realizacji
Wszystkie ceny podano w PLN
Rurka
Ilość Cena jednostkowa Wartość
114,56000 zł14,56 zł
507,40720 zł370,36 zł
1006,71500 zł671,50 zł
5005,50128 zł2 750,64 zł
1 0005,11155 zł5 111,55 zł
2 0004,91566 zł9 831,32 zł
Opakowanie standardowe producenta
Uwaga: W przypadku zakupu produktu w ilości niższej od opakowania standardowego, rodzaj opakowania może ulec zmianie ze względu na usługi o wartości dodanej świadczone przez DigiKey.
Cena jednostkowa bez VAT:14,56000 zł
Cena jednostkowa z VAT:17,90880 zł