Name: IXSJ80N120R1
Brand: IXYS
SKU: 238-IXSJ80N120R1-ND
Price: 131.9913 PLN
Availability: OutOfStock

Nowy produkt

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IXSJ80N120R1
Numer produktu DigiKey	238-IXSJ80N120R1-ND
Producent	IXYS
Numer produktu producenta	IXSJ80N120R1
Opis	1200V 18M (30A @ 25C) SIC MOSFET
Standardowy czas realizacji przez producenta	32 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 1200 V 85A (Tc) 266W Otwór przelotowy ISO247-3L
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	IXYS
Seria	-
Opakowanie	Rurka
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	SiCFET (węglik krzemu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	1200 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	85A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	18V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	22,5mOhm przy 40A, 18V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4,8V przy 22,2mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	154 nC @ 18 V
Vgs (maks.)	+21V, -4V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	4522 pF @ 800 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	266W
Temperatura robocza	-40°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia	ISO247-3L
Obudowa / skrzynia	TO-247-3

Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

0 w magazynie

Sprawdź czas realizacji

Zażądaj powiadomienia o stanie magazynowym

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Rurka

Ilość	Cena jednostkowa	Wartość
1	107,31000 zł	107,31 zł
30	69,73167 zł	2 091,95 zł
120	67,16100 zł	8 059,32 zł

Opakowanie standardowe producenta

Uwaga: W przypadku zakupu produktu w ilości niższej od opakowania standardowego, rodzaj opakowania może ulec zmianie ze względu na usługi o wartości dodanej świadczone przez DigiKey.