Name: IXSJ25N120R1
Brand: IXYS
SKU: 238-IXSJ25N120R1-ND
Price: 61.131 PLN
Availability: InStock

Nowy produkt

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IXSJ25N120R1
Numer produktu DigiKey	238-IXSJ25N120R1-ND
Producent	IXYS
Numer produktu producenta	IXSJ25N120R1
Opis	1200V 62M (25A @ 25C) SIC MOSFET
Standardowy czas realizacji przez producenta	33 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 1200 V 28A (Tc) 75,3W (Tc) Otwór przelotowy ISO247-3L
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	IXYS
Seria	-
Opakowanie	Rurka
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	SiCFET (węglik krzemu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	1200 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	28A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	18V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	81mOhm przy 12A, 18V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4,8V przy 5,3mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	52 nC @ 18 V
Vgs (maks.)	+21V, -4V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	1435 pF @ 800 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	75,3W (Tc)
Temperatura robocza	-40°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia	ISO247-3L
Obudowa / skrzynia	TO-247-3

Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

W magazynie: 292

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Rurka

Ilość	Cena jednostkowa	Wartość
1	49,70000 zł	49,70 zł
30	30,19133 zł	905,74 zł
120	25,91492 zł	3 109,79 zł
510	25,11678 zł	12 809,56 zł

Opakowanie standardowe producenta

Uwaga: W przypadku zakupu produktu w ilości niższej od opakowania standardowego, rodzaj opakowania może ulec zmianie ze względu na usługi o wartości dodanej świadczone przez DigiKey.