


IXSH65N120L2KHV | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | 238-IXSH65N120L2KHV-ND |
Producent | |
Numer produktu producenta | IXSH65N120L2KHV |
Opis | 1200V 40M (65A @ 25C) SIC MOSFET |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 27 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 1200 V 65A (Tc) 375W (Tc) Otwór przelotowy TO-247-4L |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Prod. | ||
Seria | - | |
Opakowanie | Rurka | |
Status części | Aktywny | |
Typ FET | ||
Technologia | ||
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 1200 V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | ||
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) | 15V, 18V | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 52mOhm przy 20A, 18V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 4,5V przy 9mA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 110 nC @ 18 V | |
Vgs (maks.) | +20V, -5V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 2160 pF @ 800 V | |
Charakterystyka FET | - | |
Straty mocy (maks.) | 375W (Tc) | |
Temperatura robocza | -55°C - 175°C (TJ) | |
Klasa | - | |
Kwalifikacja | - | |
Typ mocowania | Otwór przelotowy | |
Obudowa dostawcy urządzenia | TO-247-4L | |
Obudowa / skrzynia |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 36,76000 zł | 36,76 zł |
| 10 | 25,29700 zł | 252,97 zł |
| 450 | 16,92044 zł | 7 614,20 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 36,76000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 45,21480 zł |

