


IXSA110N65L2-7TR | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | 238-IXSA110N65L2-7TR-ND - Taśma i szpula (TR) 238-IXSA110N65L2-7TRCT-ND - Taśma cięta (CT) 238-IXSA110N65L2-7TRDKR-ND |
Producent | |
Numer produktu producenta | IXSA110N65L2-7TR |
Opis | 650V 25M (110A @ 25C) SIC MOSFET |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 27 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 650 V 111A (Tc) 600W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-263-7 |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Prod. | ||
Seria | - | |
Opakowanie | Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) - | |
Status części | Aktywny | |
Typ FET | ||
Technologia | ||
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 650 V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | ||
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) | 15V, 18V | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 33mOhm przy 40A, 18V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 4,5V przy 12mA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 125 nC @ 18 V | |
Vgs (maks.) | +20V, -5V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 3090 pF @ 600 V | |
Charakterystyka FET | - | |
Straty mocy (maks.) | 600W (Tc) | |
Temperatura robocza | -55°C - 175°C (TJ) | |
Klasa | - | |
Kwalifikacja | - | |
Typ mocowania | Montaż powierzchniowy | |
Obudowa dostawcy urządzenia | TO-263-7 | |
Obudowa / skrzynia |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 39,99000 zł | 39,99 zł |
| 10 | 27,64500 zł | 276,45 zł |
| 100 | 23,12410 zł | 2 312,41 zł |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 800 | 18,89226 zł | 15 113,81 zł |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 39,99000 zł | 39,99 zł |
| 10 | 27,64500 zł | 276,45 zł |
| 100 | 23,12410 zł | 2 312,41 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 39,99000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 49,18770 zł |

