IXKC23N60C5 IXYS | Półprzewodniki dyskretne

IXKC23N60C5 jest przestarzałe i nie jest już produkowane.

Dostępne zamienniki:

Similar

STMicroelectronics

W magazynie: 0

Cena jednostkowa : 22,69000 zł

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IXKC23N60C5
Numer produktu DigiKey	IXKC23N60C5-ND
Producent	IXYS
Numer produktu producenta	IXKC23N60C5
Opis	MOSFET N-CH 600V 23A ISOPLUS220
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 600 V 23A (Tc) Otwór przelotowy ISOPLUS220™

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	IXYS
Seria	CoolMOS™
Opakowanie	Rurka
Status części	Nieaktualne
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	600 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	23A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	100mOhm przy 18A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	3,9V przy 1,2mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	80 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	2800 pF @ 100 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	-
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia	ISOPLUS220™
Obudowa / skrzynia	ISOPLUS220™
Bazowy numer produktu	IXKC23