IXFX50N50 IXYS | Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze

IXFX50N50
Numer produktu DigiKey	IXFX50N50-ND
Producent	IXYS
Numer produktu producenta	IXFX50N50
Opis	MOSFET N-CH 500V 50A PLUS247-3
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 500 V 50A (Tc) 520W (Tc) Otwór przelotowy PLUS247™-3

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	IXYS
Seria	HiPerFET™
Opakowanie	Rurka
Status części	Nieaktualne
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	500 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	50A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	100mOhm przy 25A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4,5V przy 8mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	330 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	9400 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	520W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PLUS247™-3
Obudowa / skrzynia	TO-247-3, wariant
Bazowy numer produktu	IXFX50

IXFX50N50