IXFX30N110P IXYS | Półprzewodniki dyskretne

IXFX30N110P jest przestarzałe i nie jest już produkowane.

Dostępne zamienniki:

Similar

STMicroelectronics

W magazynie: 286

Cena jednostkowa : 28,95000 zł

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IXFX30N110P
Numer produktu DigiKey	IXFX30N110P-ND
Producent	IXYS
Numer produktu producenta	IXFX30N110P
Opis	MOSFET N-CH 1100V 30A PLUS247-3
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 1100 V 30A (Tc) 960W (Tc) Otwór przelotowy PLUS247™-3

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	IXYS
Seria	HiPerFET™, Polar
Opakowanie	Rurka
Status części	Nieaktualne
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	1100 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	30A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	360mOhm przy 15A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	6,5V przy 1mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	235 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	13600 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	960W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PLUS247™-3
Obudowa / skrzynia	TO-247-3, wariant
Bazowy numer produktu	IXFX30