IXFX20N120 jest przestarzałe i nie jest już produkowane.
Dostępne zamienniki:

Similar

IXTX20N150
IXYS
W magazynie: 23
Cena jednostkowa : 110,49000 zł
Arkusz danych
Wyświetl i porównaj wszystkie zamienniki
Kanał N 1200 V 20A (Tc) 780W (Tc) Otwór przelotowy PLUS247™-3
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IXFX20N120

Numer produktu DigiKey
IXFX20N120-ND
Producent
IXYS
Numer produktu producenta
IXFX20N120
Opis
MOSFET N-CH 1200V 20A PLUS247-3
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 1200 V 20A (Tc) 780W (Tc) Otwór przelotowy PLUS247™-3
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Prod.
IXYS
Seria
HiPerFET™
Opakowanie
Rurka
Status części
Nieaktualne
Typ FET
Kanał N
Technologia
MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
1200 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
20A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
750mOhm przy 500mA, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id
4,5V przy 8mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
160 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
7400 pF @ 25 V
Charakterystyka FET
-
Straty mocy (maks.)
780W (Tc)
Temperatura robocza
-55°C - 150°C (TJ)
Klasa
-
Kwalifikacja
-
Typ mocowania
Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia
PLUS247™-3
Obudowa / skrzynia
TO-247-3, wariant
Bazowy numer produktu
IXFX20
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

Przestarzałe
Ten produkt nie jest już produkowany. Wyświetl Zamienniki.
Bez możliwości anulowania i zwrotu