Name: IXFX100N65X2
Brand: IXYS
SKU: 238-IXFX100N65X2-ND
Price: 88.0557 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IXFX100N65X2
Numer produktu DigiKey	238-IXFX100N65X2-ND
Producent	IXYS
Numer produktu producenta	IXFX100N65X2
Opis	MOSFET N-CH 650V 100A PLUS247-3
Standardowy czas realizacji przez producenta	27 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 650 V 100A (Tc) 1040W (Tc) Otwór przelotowy PLUS247™-3
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	IXYS
Seria	HiPerFET™, Ultra X2
Opakowanie	Rurka
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	650 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	100A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	30mOhm przy 50A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	5,5V przy 4mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	180 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	11300 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	1040W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PLUS247™-3
Obudowa / skrzynia	TO-247-3, wariant
Bazowy numer produktu	IXFX100

Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

W magazynie: 435

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Rurka

Ilość	Cena jednostkowa	Wartość
1	71,59000 zł	71,59 zł
30	44,89100 zł	1 346,73 zł
120	40,18958 zł	4 822,75 zł

Opakowanie standardowe producenta

Uwaga: W przypadku zakupu produktu w ilości niższej od opakowania standardowego, rodzaj opakowania może ulec zmianie ze względu na usługi o wartości dodanej świadczone przez DigiKey.