
IXFT50N85XHV | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | 238-IXFT50N85XHV-ND |
Producent | |
Numer produktu producenta | IXFT50N85XHV |
Opis | MOSFET N-CH 850V 50A TO268 |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 27 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 850 V 50A (Tc) 890W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-268HV (IXFT) |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Modele EDA/CAD | IXFT50N85XHV Modele |
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Prod. | ||
Seria | ||
Opakowanie | Rurka | |
Status części | Aktywny | |
Typ FET | ||
Technologia | ||
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 850 V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | ||
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) | 10V | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 105mOhm przy 500mA, 10V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 5,5V przy 4mA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 152 nC @ 10 V | |
Vgs (maks.) | ±30V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 4480 pF @ 25 V | |
Charakterystyka FET | - | |
Straty mocy (maks.) | 890W (Tc) | |
Temperatura robocza | -55°C - 150°C (TJ) | |
Klasa | - | |
Kwalifikacja | - | |
Typ mocowania | Montaż powierzchniowy | |
Obudowa dostawcy urządzenia | TO-268HV (IXFT) | |
Obudowa / skrzynia | ||
Bazowy numer produktu |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 71,88000 zł | 71,88 zł |
| 30 | 45,08633 zł | 1 352,59 zł |
| 120 | 40,39417 zł | 4 847,30 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 71,88000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 88,41240 zł |



