
IXFT32N100XHV | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | IXFT32N100XHV-ND |
Producent | |
Numer produktu producenta | IXFT32N100XHV |
Opis | MOSFET N-CH 1000V 32A TO268HV |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 27 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 1000 V 32A (Tc) 890W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-268HV (IXFT) |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Prod. | ||
Seria | ||
Opakowanie | Rurka | |
Status części | Aktywny | |
Typ FET | ||
Technologia | ||
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 1000 V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | ||
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) | 10V | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 220mOhm przy 16A, 10V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 6V przy 4mA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 130 nC @ 10 V | |
Vgs (maks.) | ±30V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 4075 pF @ 25 V | |
Charakterystyka FET | - | |
Straty mocy (maks.) | 890W (Tc) | |
Temperatura robocza | -55°C - 150°C (TJ) | |
Klasa | - | |
Kwalifikacja | - | |
Typ mocowania | Montaż powierzchniowy | |
Obudowa dostawcy urządzenia | TO-268HV (IXFT) | |
Obudowa / skrzynia | ||
Bazowy numer produktu |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 90,54000 zł | 90,54 zł |
| 30 | 57,95200 zł | 1 738,56 zł |
| 120 | 54,16333 zł | 6 499,60 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 90,54000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 111,36420 zł |

