
IXFT18N100Q3 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | IXFT18N100Q3-ND |
Producent | |
Numer produktu producenta | IXFT18N100Q3 |
Opis | MOSFET N-CH 1000V 18A TO268 |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 46 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 1000 V 18A (Tc) 830W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-268AA |
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Prod. | ||
Seria | ||
Opakowanie | Rurka | |
Status części | Aktywny | |
Typ FET | ||
Technologia | ||
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 1000 V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | ||
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) | 10V | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 660mOhm przy 9A, 10V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 6,5V przy 4mA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 90 nC @ 10 V | |
Vgs (maks.) | ±30V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 4890 pF @ 25 V | |
Charakterystyka FET | - | |
Straty mocy (maks.) | 830W (Tc) | |
Temperatura robocza | -55°C - 150°C (TJ) | |
Klasa | - | |
Kwalifikacja | - | |
Typ mocowania | Montaż powierzchniowy | |
Obudowa dostawcy urządzenia | TO-268AA | |
Obudowa / skrzynia | ||
Bazowy numer produktu |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 300 | 48,77183 zł | 14 631,55 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 48,77183 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 59,98935 zł |


