IXFT12N100F IXYS | Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze

IXFT12N100F
Numer produktu DigiKey	IXFT12N100F-ND
Producent	IXYS
Numer produktu producenta	IXFT12N100F
Opis	MOSFET N-CH 1000V 12A TO268
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 1000 V 12A (Tc) 300W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-268

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	IXYS
Seria	HiPerRF™
Opakowanie	Rurka
Status części	Nieaktualne
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	1000 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	12A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	1,05Ohm przy 6A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	5,5V przy 4mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	77 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	2700 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	300W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	TO-268
Obudowa / skrzynia	TO-268-3, D3PAK (2 odpr. + wypust), TO-268AA
Bazowy numer produktu	IXFT12

IXFT12N100F