IXFP18N60X IXYS | Półprzewodniki dyskretne

IXFP18N60X jest przestarzałe i nie jest już produkowane.

Dostępne zamienniki:

MFR Recommended

IXYS

W magazynie: 298

Cena jednostkowa : 22,00000 zł

Similar

onsemi

W magazynie: 775

Cena jednostkowa : 13,91000 zł

Similar

Infineon Technologies

W magazynie: 288

Cena jednostkowa : 10,17000 zł

Similar

Infineon Technologies

W magazynie: 372

Cena jednostkowa : 16,29000 zł

Similar

STMicroelectronics

W magazynie: 270

Cena jednostkowa : 10,39000 zł

Similar

STMicroelectronics

W magazynie: 777

Cena jednostkowa : 14,27000 zł

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IXFP18N60X
Numer produktu DigiKey	IXFP18N60X-ND
Producent	IXYS
Numer produktu producenta	IXFP18N60X
Opis	MOSFET N-CH 600V 18A TO220AB
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 600 V 18A (Tc) 320W (Tc) Otwór przelotowy TO-220-3

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	IXYS
Seria	HiPerFET™, Ultra X
Opakowanie	Rurka
Status części	Nieaktualne
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	600 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	18A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	230mOhm przy 9A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4,5V przy 1,5mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	35 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	1440 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	320W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia	TO-220-3
Obudowa / skrzynia	TO-220-3
Bazowy numer produktu	IXFP18