IXFL39N90 IXYS | Półprzewodniki dyskretne

IXFL39N90 jest przestarzałe i nie jest już produkowane.

Dostępne zamienniki:

Similar

STMicroelectronics

W magazynie: 0

Cena jednostkowa : 30,52000 zł

Similar

STMicroelectronics

W magazynie: 0

Cena jednostkowa : 28,95000 zł

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IXFL39N90
Numer produktu DigiKey	IXFL39N90-ND
Producent	IXYS
Numer produktu producenta	IXFL39N90
Opis	MOSFET N-CH 900V 34A ISOPLUS264
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 900 V 34A (Tc) 580W (Tc) Otwór przelotowy ISOPLUS264™

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	IXYS
Seria	HiPerFET™
Opakowanie	Rurka
Status części	Nieaktualne
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	900 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	34A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	220mOhm przy 19,5A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	5V przy 8mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	375 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	13400 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	580W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia	ISOPLUS264™
Obudowa / skrzynia	TO-264-3, TO-264AA
Bazowy numer produktu	IXFL39