IXFH220N06T3 IXYS | Półprzewodniki dyskretne

IXFH220N06T3 jest przestarzałe i nie jest już produkowane.

Dostępne zamienniki:

Similar

Infineon Technologies

W magazynie: 478

Cena jednostkowa : 21,89000 zł

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IXFH220N06T3
Numer produktu DigiKey	IXFH220N06T3-ND
Producent	IXYS
Numer produktu producenta	IXFH220N06T3
Opis	MOSFET N-CH 60V 220A TO247
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 60 V 220A (Tc) 440W (Tc) Otwór przelotowy TO-247

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	IXYS
Seria	HiperFET™, TrenchT3™
Opakowanie	Rurka
Status części	Nieaktualne
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	60 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	220A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	4mOhm przy 100A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	136 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	8500 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	440W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia	TO-247
Obudowa / skrzynia	TO-247-3
Bazowy numer produktu	IXFH220