IXFH14N80 IXYS | Półprzewodniki dyskretne

IXFH14N80 jest przestarzałe i nie jest już produkowane.

Dostępne zamienniki:

Similar

STMicroelectronics

W magazynie: 544

Cena jednostkowa : 22,14000 zł

Similar

STMicroelectronics

W magazynie: 570

Cena jednostkowa : 24,08000 zł

Similar

STMicroelectronics

W magazynie: 0

Cena jednostkowa : 25,11000 zł

Similar

STMicroelectronics

W magazynie: 656

Cena jednostkowa : 45,49000 zł

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IXFH14N80
Numer produktu DigiKey	IXFH14N80-ND
Producent	IXYS
Numer produktu producenta	IXFH14N80
Opis	MOSFET N-CH 800V 14A TO247AD
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 800 V 14A (Tc) 300W (Tc) Otwór przelotowy TO-247AD (IXFH)

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	IXYS
Seria	HiPerFET™
Opakowanie	Rurka
Status części	Nieaktualne
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	800 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	14A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	700mOhm przy 500mA, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4,5V przy 4mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	200 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	4870 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	300W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia	TO-247AD (IXFH)
Obudowa / skrzynia	TO-247-3
Bazowy numer produktu	IXFH14