IXFA270N06T3 IXYS | Półprzewodniki dyskretne

IXFA270N06T3 jest przestarzałe i nie jest już produkowane.

Dostępne zamienniki:

Similar

Diodes Incorporated

W magazynie: 768

Cena jednostkowa : 11,42000 zł

Similar

Infineon Technologies

W magazynie: 2 065

Cena jednostkowa : 11,53000 zł

Similar

Infineon Technologies

W magazynie: 6 269

Cena jednostkowa : 14,49000 zł

Similar

Vishay Siliconix

W magazynie: 911

Cena jednostkowa : 18,92000 zł

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IXFA270N06T3
Numer produktu DigiKey	IXFA270N06T3-ND
Producent	IXYS
Numer produktu producenta	IXFA270N06T3
Opis	MOSFET N-CH 60V 270A TO263AA
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 60 V 270A (Tc) 480W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-263AA
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	IXYS
Seria	HiperFET™, TrenchT3™
Opakowanie	Rurka
Status części	Nieaktualne
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	60 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	270A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	3,1mOhm przy 100A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	200 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	12600 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	480W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	TO-263AA
Obudowa / skrzynia	TO-263-3, D2PAK (2 odpr. + wypust), TO-263AB
Bazowy numer produktu	IXFA270