Name: IPB014N06NATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB014N06NATMA1TR-ND
Price: 22.017 PLN
Availability: InStock

Potrzebujesz pomocy?

Twoja opinia

Informacje o DigiKey Marketplace Sprzedawaj na DigiKey.com Kariera Mapa serwisu Rozwiązania cyfrowe Serwis informacyjny

Pomoc i wsparcie Status zamówienia Stawki i opcje wysyłek Zwroty i zagadnienia dotyczące zamawiania

Chat (+48) 22 53 64 114 poland.support@digikey.com Co-Browse

IPB014N06NATMA1
Numer produktu DigiKey	IPB014N06NATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) IPB014N06NATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) IPB014N06NATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IPB014N06NATMA1
Opis	MOSFET N-CH 60V 34A/180A TO263-7
Standardowy czas realizacji przez producenta	18 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 60 V 34A (Ta), 180A (Tc) 3W (Ta), 214W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TO263-7
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IPB014N06NATMA1 Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	OptiMOS™
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	60 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	34A (Ta), 180A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	6V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	1,4mOhm przy 100A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2,8V przy 143µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	106 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	7800 pF @ 30 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	3W (Ta), 214W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TO263-7
Obudowa / skrzynia	TO-263-7, D2PAK (6 odpr. + wypust)
Bazowy numer produktu	IPB014

Cena jednostkowa bez VAT:	17,90000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	22,01700 zł

IPB014N06NATMA1