SPP03N60C3XKSA1 Infineon Technologies | Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze

SPP03N60C3XKSA1
Numer produktu DigiKey	SPP03N60C3XKSA1-ND
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	SPP03N60C3XKSA1
Opis	LOW POWER_LEGACY
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 600 V 3,2A (Tc) 38W (Tc) Otwór przelotowy PG-TO220-3-1
Arkusz danych	Arkusz danych

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	CoolMOS™
Opakowanie	Rurka
Status części	Nieaktualne
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	600 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	3,2A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	1,4Ohm przy 2A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	3,9V przy 135µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	17 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	400 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	38W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TO220-3-1
Obudowa / skrzynia	TO-220-3
Bazowy numer produktu	SPP03N

SPP03N60C3XKSA1