SPB100N03S2-03 G Infineon Technologies | Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze

SPB100N03S2-03 G
Numer produktu DigiKey	SPB100N03S2-03G-ND - Taśma i szpula (TR)
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	SPB100N03S2-03 G
Opis	MOSFET N-CH 30V 100A TO263-3
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 30 V 100A (Tc) 300W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TO263-3-2
Arkusz danych	Arkusz danych

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	OptiMOS™
Opakowanie	Taśma i szpula (TR)
Status części	Produkt wycofany z oferty DigiKey
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	30 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	100A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	3mOhm przy 80A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	150 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	7020 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	300W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TO263-3-2
Obudowa / skrzynia	TO-263-3, D2PAK (2 odpr. + wypust), TO-263AB
Bazowy numer produktu	SPB100N

Ilość	Cena jednostkowa	Wartość
1 000	5,34174 zł	5 341,74 zł
2 000	5,17245 zł	10 344,90 zł

Cena jednostkowa bez VAT:	5,34174 zł
Cena jednostkowa z VAT:	6,57034 zł

SPB100N03S2-03 G