SN7002NH6327XTSA1 nie jest dostępne w magazynie, a zamówienia niezrealizowane nie są aktualnie dostępne.
Dostępne zamienniki:

Bezpośrednie

BSS138NH6327XTSA2
Infineon Technologies
W magazynie: 102 994
Cena jednostkowa : 0,99000 zł
Arkusz danych

Odpowiednik parametryczny

SN7002NH6327XTSA2
Infineon Technologies
W magazynie: 30 011
Cena jednostkowa : 0,95000 zł
Arkusz danych

Odpowiednik parametryczny

SN7002NH6433XTMA1
Infineon Technologies
W magazynie: 9 962
Cena jednostkowa : 0,88000 zł
Arkusz danych

Similar

2N7002
onsemi
W magazynie: 293 107
Cena jednostkowa : 2,16000 zł
Arkusz danych

Similar

2N7002-7-F
Diodes Incorporated
W magazynie: 237 441
Cena jednostkowa : 0,66000 zł
Arkusz danych

Similar

2N7002E-7-F
Diodes Incorporated
W magazynie: 14 778
Cena jednostkowa : 0,77000 zł
Arkusz danych

Similar

2N7002K
onsemi
W magazynie: 117 453
Cena jednostkowa : 1,13000 zł
Arkusz danych

Similar

2N7002K-7
Diodes Incorporated
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 0,70000 zł
Arkusz danych

Similar

2N7002K-T1-E3
Vishay Siliconix
W magazynie: 1 204
Cena jednostkowa : 1,83000 zł
Arkusz danych

Similar

2N7002K-T1-GE3
Vishay Siliconix
W magazynie: 239 728
Cena jednostkowa : 1,83000 zł
Arkusz danych

Similar

2N7002T
onsemi
W magazynie: 56
Cena jednostkowa : 1,61000 zł
Arkusz danych

Similar

BS170FTA
Diodes Incorporated
W magazynie: 19 979
Cena jednostkowa : 3,95000 zł
Arkusz danych

Similar

BS870-7-F
Diodes Incorporated
W magazynie: 6 453
Cena jednostkowa : 1,02000 zł
Arkusz danych

Similar

BSS138AKAR
Nexperia USA Inc.
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 0,92000 zł
Arkusz danych
Wyświetl i porównaj wszystkie zamienniki
Kanał N 60 V 200mA (Ta) 360mW (Ta) Montaż powierzchniowy PG-SOT23
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SN7002NH6327XTSA1

Numer produktu DigiKey
SN7002NH6327XTSA1TR-ND - Taśma i szpula (TR)
Producent
Infineon Technologies
Numer produktu producenta
SN7002NH6327XTSA1
Opis
MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23-3
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 60 V 200mA (Ta) 360mW (Ta) Montaż powierzchniowy PG-SOT23
Arkusz danych
 Arkusz danych
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Prod.
Infineon Technologies
Seria
SIPMOS®
Opakowanie
Taśma i szpula (TR)
Status części
Produkt wycofany z oferty Digi-Key
Typ FET
Kanał N
Technologia
MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
60 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
200mA (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
5Ohm przy 500mA, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id
1,8V przy 26µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
1.5 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
45 pF @ 25 V
Charakterystyka FET
-
Straty mocy (maks.)
360mW (Ta)
Temperatura robocza
-55°C - 150°C (TJ)
Klasa
Motoryzacja
Kwalifikacja
AEC-Q101
Typ mocowania
Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia
PG-SOT23
Obudowa / skrzynia
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Bazowy numer produktu
SN7002N
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

0 w magazynie
Ze względu na chwilowe ograniczenia w zaopatrzeniu, nie możemy obecnie akceptować niezrealizowanych pozycji zamówienia, jak również niedostępny jest w tej chwili czas realizacji. Wyświetl Zamienniki.