ISZ040N03L5ISATMA1 Infineon Technologies | Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze

ISZ040N03L5ISATMA1
Numer produktu DigiKey	448-ISZ040N03L5ISATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-ISZ040N03L5ISATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-ISZ040N03L5ISATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	ISZ040N03L5ISATMA1
Opis	MOSFET N-CH 30V 18A/40A TSDSON
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 30 V 18A (Ta), 40A (Tc) 2,1W (Ta), 37W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TSDSON-8-FL
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	ISZ040N03L5ISATMA1 Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	OptiMOS™
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Nieaktualne
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	30 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	18A (Ta), 40A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	4mOhm przy 30A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	17 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	1100 pF @ 15 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	2,1W (Ta), 37W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TSDSON-8-FL
Obudowa / skrzynia	8-PowerTDFN
Bazowy numer produktu	ISZ040

Ilość	Cena jednostkowa	Wartość
1	3,84000 zł	3,84 zł
10	2,39500 zł	23,95 zł

Cena jednostkowa bez VAT:	3,84000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	4,72320 zł

ISZ040N03L5ISATMA1