ISZ019N03L5SATMA1 Infineon Technologies | Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze

ISZ019N03L5SATMA1
Numer produktu DigiKey	448-ISZ019N03L5SATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-ISZ019N03L5SATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-ISZ019N03L5SATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	ISZ019N03L5SATMA1
Opis	MOSFET N-CH 30V 22A/40A TSDSON
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 30 V 22A (Ta), 40A (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TSDSON-8-FL
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	ISZ019N03L5SATMA1 Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	OptiMOS™
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Nieaktualne
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	30 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	22A (Ta), 40A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	1,9mOhm przy 20A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	44 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	2800 pF @ 15 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	-
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TSDSON-8-FL
Obudowa / skrzynia	8-PowerTDFN
Bazowy numer produktu	ISZ019

Ilość	Cena jednostkowa	Wartość
5 000	1,58996 zł	7 949,80 zł
10 000	1,54090 zł	15 409,00 zł

Cena jednostkowa bez VAT:	6,21000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	7,63830 zł

ISZ019N03L5SATMA1