Name: ISCH69N04NM7VATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISCH69N04NM7VATMA1TR-ND
Price: 13.0134 PLN
Availability: InStock

Nowy produkt

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

ISCH69N04NM7VATMA1
Numer produktu DigiKey	448-ISCH69N04NM7VATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-ISCH69N04NM7VATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-ISCH69N04NM7VATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	ISCH69N04NM7VATMA1
Opis	ISCH69N04NM7VATMA1
Standardowy czas realizacji przez producenta	19 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 40 V 48A (Ta), 357A (Tc) 3W (Ta), 167W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TDSON-8
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	OptiMOS™ 7
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	40 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	48A (Ta), 357A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V, 15V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	0,65mOhm przy 50A, 15V
Vgs(th) (maks.) przy Id	3,15V przy 82µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	106 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	5600 pF @ 20 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	3W (Ta), 167W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TDSON-8
Obudowa / skrzynia	8-PowerTDFN