ISC026N03L5SATMA1 Infineon Technologies | Półprzewodniki dyskretne

ISC026N03L5SATMA1
Numer produktu DigiKey	448-ISC026N03L5SATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-ISC026N03L5SATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-ISC026N03L5SATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	ISC026N03L5SATMA1
Opis	MOSFET N-CH 30V 24A/100A TDSON
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 30 V 24A (Ta), 100A (Tc) 2,5W (Ta), 48W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TDSON-8-6
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	ISC026N03L5SATMA1 Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	OptiMOS™
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Nieaktualne
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	30 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	24A (Ta), 100A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	2,6mOhm przy 30A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	26 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	1700 pF @ 15 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	2,5W (Ta), 48W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TDSON-8-6
Obudowa / skrzynia	8-PowerTDFN
Bazowy numer produktu	ISC026

Ilość	Cena jednostkowa	Wartość
5 000	1,03219 zł	5 160,95 zł
10 000	0,96262 zł	9 626,20 zł

Cena jednostkowa bez VAT:	4,32000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	5,31360 zł

Potrzebujesz pomocy?

Twoja opinia

Informacje o DigiKey Marketplace Sprzedawaj na DigiKey.com Kariera Mapa serwisu Rozwiązania cyfrowe Serwis informacyjny

Pomoc i wsparcie Status zamówienia Stawki i opcje wysyłek Zwroty i zagadnienia dotyczące zamawiania

Chat (+48) 22 53 64 114 poland.support@digikey.com Co-Browse

ISC026N03L5SATMA1