IRL3705ZSTRLPBF Infineon Technologies | Półprzewodniki dyskretne

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IRL3705ZSTRLPBF
Numer produktu DigiKey	IRL3705ZSTRLPBFTR-ND - Taśma i szpula (TR) IRL3705ZSTRLPBFCT-ND - Taśma cięta (CT) IRL3705ZSTRLPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IRL3705ZSTRLPBF
Opis	MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 55 V 75A (Tc) 130W (Tc) Montaż powierzchniowy D2PAK
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IRL3705ZSTRLPBF Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	HEXFET®
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Nieaktualne
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	55 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	75A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	8mOhm przy 52A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	3V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	60 nC @ 5 V
Vgs (maks.)	±16V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	2880 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	130W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	D2PAK
Obudowa / skrzynia	TO-263-3, D2PAK (2 odpr. + wypust), TO-263AB
Bazowy numer produktu	IRL3705