IRL2203NSTRLPBF Infineon Technologies | Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze

IRL2203NSTRLPBF
Numer produktu DigiKey	IRL2203NSTRLPBFTR-ND - Taśma i szpula (TR)
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IRL2203NSTRLPBF
Opis	MOSFET N-CH 30V 116A D2PAK
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 30 V 116A (Tc) 3,8W (Ta), 180W (Tc) Montaż powierzchniowy D2PAK
Arkusz danych	Arkusz danych

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	HEXFET®
Opakowanie	Taśma i szpula (TR)
Status części	Nieaktualne
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	30 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	116A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	7mOhm przy 60A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	3V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	60 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)	±16V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	3290 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	3,8W (Ta), 180W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	D2PAK
Obudowa / skrzynia	TO-263-3, D2PAK (2 odpr. + wypust), TO-263AB

IRL2203NSTRLPBF