IRL1404STRLPBF Infineon Technologies | Półprzewodniki dyskretne

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IRL1404STRLPBF
Numer produktu DigiKey	IRL1404STRLPBFTR-ND - Taśma i szpula (TR) IRL1404STRLPBFCT-ND - Taśma cięta (CT)
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IRL1404STRLPBF
Opis	MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 40 V 160A (Tc) 3,8W (Ta), 200W (Tc) Montaż powierzchniowy D2PAK
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	HEXFET®
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT)
Status części	Nieaktualne
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	40 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	160A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,3V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	4mOhm przy 95A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	3V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	140 nC @ 5 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	6600 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	3,8W (Ta), 200W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	D2PAK
Obudowa / skrzynia	TO-263-3, D2PAK (2 odpr. + wypust), TO-263AB
Bazowy numer produktu	IRL1404