IRFU4105ZPBF Infineon Technologies | Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze

IRFU4105ZPBF
Numer produktu DigiKey	IRFU4105ZPBF-ND
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IRFU4105ZPBF
Opis	MOSFET N-CH 55V 30A IPAK
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 55 V 30A (Tc) 48W (Tc) Otwór przelotowy IPAK (TO-251AA)
Arkusz danych	Arkusz danych

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	HEXFET®
Opakowanie	Rurka
Status części	Nieaktualne
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	55 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	30A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	24,5mOhm przy 18A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	27 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	740 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	48W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia	IPAK (TO-251AA)
Obudowa / skrzynia	TO-251-3 krótkie odpr, IPAK, TO-251AA

IRFU4105ZPBF