Name: IRFTS9342TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFTS9342TRPBFTR-ND
Price: 2.8782 PLN
Availability: InStock

Potrzebujesz pomocy?

Twoja opinia

Informacje o DigiKey Marketplace Sprzedawaj na DigiKey.com Kariera Mapa serwisu Rozwiązania cyfrowe Serwis informacyjny

Pomoc i wsparcie Status zamówienia Stawki i opcje wysyłek Zwroty i zagadnienia dotyczące zamawiania

Chat (+48) 22 53 64 114 poland.support@digikey.com Co-Browse

IRFTS9342TRPBF
Numer produktu DigiKey	IRFTS9342TRPBFTR-ND - Taśma i szpula (TR) IRFTS9342TRPBFCT-ND - Taśma cięta (CT) IRFTS9342TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IRFTS9342TRPBF
Opis	MOSFET P-CH 30V 5.8A 6TSOP
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 30 V 5,8A (Ta) 2W (Ta) Montaż powierzchniowy 6-TSOP
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IRFTS9342TRPBF Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	HEXFET®
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Ostatnio kupiono
Typ FET	Kanał P
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	30 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	5,8A (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	40mOhm przy 5,8A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2,4V przy 25µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	12 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	595 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	2W (Ta)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	6-TSOP
Obudowa / skrzynia	SOT-23-6
Bazowy numer produktu	IRFTS9342

Cena jednostkowa bez VAT:	2,34000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	2,87820 zł

IRFTS9342TRPBF