IRFS4510TRLPBF Infineon Technologies | Półprzewodniki dyskretne

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IRFS4510TRLPBF
Numer produktu DigiKey	448-IRFS4510TRLPBFTR-ND - Taśma i szpula (TR)
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IRFS4510TRLPBF
Opis	MOSFET N-CH 100V 61A D2PAK
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 100 V 61A (Tc) 140W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TO263-3
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IRFS4510TRLPBF Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	HEXFET®
Opakowanie	Taśma i szpula (TR)
Status części	Nieaktualne
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	100 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	61A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	13,9mOhm przy 37A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4V przy 100µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	87 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	3180 pF @ 50 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	140W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TO263-3
Obudowa / skrzynia	TO-263-3, D2PAK (2 odpr. + wypust), TO-263AB
Bazowy numer produktu	IRFS4510