IRFS4310PBF nie jest dostępne w magazynie, a zamówienia niezrealizowane nie są aktualnie dostępne.
Dostępne zamienniki:

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 153
Cena jednostkowa : 11,36000 zł
Arkusz danych

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 5,78415 zł
Arkusz danych

Similar


Nexperia USA Inc.
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 14,01000 zł
Arkusz danych

Similar


IXYS
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 28,07000 zł
Arkusz danych

Similar


IXYS
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 9,68327 zł
Arkusz danych

Similar


IXYS
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 9,98980 zł
Arkusz danych

Similar


IXYS
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 24,21000 zł
Arkusz danych

Similar


IXYS
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 10,59980 zł
Arkusz danych

Similar


Nexperia USA Inc.
W magazynie: 1 031
Cena jednostkowa : 13,54000 zł
Arkusz danych

Similar


Nexperia USA Inc.
W magazynie: 2 792
Cena jednostkowa : 11,14000 zł
Arkusz danych

Similar


Nexperia USA Inc.
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 11,86000 zł
Arkusz danych

Similar


Nexperia USA Inc.
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 14,25000 zł
Arkusz danych

Similar


Vishay Siliconix
W magazynie: 285
Cena jednostkowa : 12,11000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 639
Cena jednostkowa : 10,89000 zł
Arkusz danych
Kanał N 100 V 130A (Tc) 300W (Tc) Montaż powierzchniowy D2PAK
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IRFS4310PBF

Numer produktu DigiKey
IRFS4310PBF-ND
Producent
Numer produktu producenta
IRFS4310PBF
Opis
MOSFET N-CH 100V 130A D2PAK
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 100 V 130A (Tc) 300W (Tc) Montaż powierzchniowy D2PAK
Arkusz danych
 Arkusz danych
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Prod.
Seria
Opakowanie
Rurka
Status części
Produkt wycofany z oferty DigiKey
Typ FET
Technologia
Napięcie dren-źródło (Vdss)
100 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
7mOhm przy 75A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id
4V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
250 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
7670 pF @ 50 V
Charakterystyka FET
-
Straty mocy (maks.)
300W (Tc)
Temperatura robocza
-55°C - 175°C (TJ)
Klasa
-
Kwalifikacja
-
Typ mocowania
Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia
D2PAK
Obudowa / skrzynia
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

0 w magazynie
Ze względu na chwilowe ograniczenia w zaopatrzeniu, nie możemy obecnie akceptować niezrealizowanych pozycji zamówienia, jak również niedostępny jest w tej chwili czas realizacji. Wyświetl Zamienniki lub Rodzaje opakowań alternatywnych.