IRFP4127PBF jest przestarzałe i nie jest już produkowane.
Dostępne zamienniki:

MFR Recommended


Infineon Technologies
W magazynie: 358
Cena jednostkowa : 15,71000 zł
Arkusz danych

Similar


IXYS
W magazynie: 35
Cena jednostkowa : 49,96000 zł
Arkusz danych

Similar


IXYS
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 29,77787 zł
Arkusz danych

Similar


IXYS
W magazynie: 2
Cena jednostkowa : 38,07000 zł
Arkusz danych

Similar


IXYS
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 0,00000 zł
Arkusz danych

Similar


IXYS
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 52,75000 zł
Arkusz danych

Similar


IXYS
W magazynie: 600
Cena jednostkowa : 61,50000 zł
Arkusz danych

Similar


IXYS
W magazynie: 103
Cena jednostkowa : 57,93000 zł
Arkusz danych

Similar


IXYS
W magazynie: 4 067
Cena jednostkowa : 68,75000 zł
Arkusz danych

Similar


IXYS
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 30,44260 zł
Arkusz danych

Similar


IXYS
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 0,00000 zł
Arkusz danych

Similar


IXYS
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 37,86000 zł
Arkusz danych

Similar


IXYS
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 129,36000 zł
Arkusz danych

Similar


IXYS
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 26,72027 zł
Arkusz danych
Kanał N 200 V 75A (Tc) 341W (Tc) Otwór przelotowy TO-247AC
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IRFP4127PBF

Numer produktu DigiKey
IRFP4127PBF-ND
Producent
Numer produktu producenta
IRFP4127PBF
Opis
MOSFET N-CH 200V 75A TO247AC
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 200 V 75A (Tc) 341W (Tc) Otwór przelotowy TO-247AC
Arkusz danych
 Arkusz danych
Modele EDA/CAD
IRFP4127PBF Modele
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Prod.
Seria
Opakowanie
Rurka
Status części
Nieaktualne
Typ FET
Technologia
Napięcie dren-źródło (Vdss)
200 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
21mOhm przy 44A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id
5V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
150 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
5380 pF @ 50 V
Charakterystyka FET
-
Straty mocy (maks.)
341W (Tc)
Temperatura robocza
-55°C - 175°C (TJ)
Klasa
-
Kwalifikacja
-
Typ mocowania
Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia
TO-247AC
Obudowa / skrzynia
Bazowy numer produktu
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

Przestarzałe
Ten produkt nie jest już produkowany. Wyświetl Zamienniki.